标准编号：GB/T 1553-1997

中文标准名称：硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

英文标准名称：Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay

首次发布日期：1979-05-26

标准状态：已作废

强制与推荐：推荐性标准

复审确认日期：2004-10-14

代替标准号：GB/T 1553-1979,GB/T 5257-1985

被代替标准号：GB/T 1553-2009

废止时间：2010-06-01

采用国际标准编号：ASTM F28:1990

采用程度：EQV

采用国际标准：ITU

语言：简体中文版、英文版

发布日期：1997-06-03

实施日期：1997-01-02

标准类型：方法

标准类别：国家标准GB

中国标准文献分类法(中标分类CCS)：冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法

国际标准分类法(ICS)：冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料试验综合

标准页数：17

主管部门：469 国家标准化管理委员会

归口单位：469-203 全国半导体材料和设备标准化技术委员会

起草单位：峨嵋半导体材料厂

引用标准：被代替
GB 1553-1979;
GB 5257-1985
ASTM F28-1990,修改采用

标准简介：本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。

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